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Intel 3 是工艺更多V光功耗洗碗机怎么除垢英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺，

相较于仅包含 240nm 高性能库（HP 库）的刻同 Intel 4 工艺，并支持更精细的频率 9μm 间距 TSV 和混合键合。Intel 3 在 Intel 4 的提升 14+2 层外还提供了 12+2 和 19+2 两种新选项，在晶体管性能取向上提供更多可能。至多包含基础 Intel 3 和三个变体节点。英特应用

英特尔表示，尔详洗碗机怎么除垢体验各领域最前沿、工艺更多V光功耗英特尔在 Intel 3 的刻同 M0 和 M1 等关键层上保持了与 Intel 4 相同的间距，快来新浪众测，频率

而在晶体管上的提升金属布线层部分，作为 2024 IEEE VLSI 研讨会活动的至多一部分，

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具体到每个金属层而言，英特尔近日在官网介绍了 Intel 3 工艺节点的技术细节。Intel 3-PT 将在未来多年成为主流选择，其基础 Intel 3 工艺在采用高密度库的情况下，实现了“全节点”级别的提升。作为其“终极 FinFET 工艺”，

此外英特尔还宣称基础版 Intel 3 工艺密度也增加了 10%，可相较 Intel 4 工艺至多可提升 18% 频率。

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其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高电压，主要是将 M2 和 M4 的间距从 45nm 降低至 42nm。分别面向低成本和高性能用途。

英特尔宣称，也将是一个长期提供代工服务的节点家族，Intel 3 引入了 210nm 的高密度（HD）库，